metal gate半導體
...極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技...
Low k、High k到底在幹嘛? - ryanwu
- metal gate
- High-k metal gate
- MOSFET structure
- metal gate中文
- High-k metal gate
- high k metal gate製程
- metal gate process flow
- high k材料有哪些
- metal gate好處
- metal製程
- gate last技術
- metal gate h1z1
- high k metal gate原理
- high k材料有哪些
- metal gate work function
- replacement metal gate
- high k metal gate process
- metal gate
- high k metal gate製程
- High-k metal gate
- High-k metal gate
- high k metal gate process flow
- high k metal gate製程
- Why metal gate
- metal gate中文
2008年6月20日—事實上在Intel發表正式研發成功Highk/MetalGate技術前,半導體業界早已在討論Highk技術,原本預測2007年此項技術就會開始盛行,不過此預測稍過樂觀, ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **